(f)高孔隙3D石墨烯泡沫中纳米带中AlCl4-阴离子嵌入/脱嵌的示意图;(g)2000、湖实4000、5000、6000、7000和8000mAg-1下,软包电池充电和放电的速率性能。落户领域(d)NPHC的PF6-的氮掺杂反应模拟图。南海而顶部迁移途径只有Frenkel机制(图9c-e)。
在充电/放电过程中,丹灶XRD峰出现分裂和移位行为。在DIB中需要有效且高度浓缩的电解质,主功因为更高量的活性阴离子更有利于减少电池的重量,提高能量密度。
投资图3DIB发展的简要历史:(a)Schafhäutl首先发现的阴离子插层。
亿元佛验室(b)双离子电池的金属锂/KS6L的原位X射线衍射图谱。长期从事新型光功能材料的基础和应用探索研究,山仙在低维材料、纳米光电子学等方面做出了开创性贡献。
湖实2016年获中国科学院杰出成就奖。落户领域2016年分别获得日经亚洲奖(NikkeiAsiaPrizes);联合国教科文组织纳米科技与纳米技术贡献奖(UNESCOMedalForContributiontotheDevelopmentofNanoscienceandNanotechnologies);2015年获得ChinaNANO奖(首位华人获奖者)。
1983年毕业于长春工业大学,南海1984年留学日本,1990年获东京大学博士,1990–1993年东京大学和国立分子科学研究所博士后。主要从事仿生功能界面材料的制备及物理化学性质的研究,丹灶揭示了自然界中具有特殊浸润性表面的结构与性能的关系,丹灶提出了二元协同纳米界面材料设计体系。